普通的清洗方法一般不能達到孔內,而孔內芯料的反應生成物及其他污染物會在后序工藝中會產生重復污染。無論是采用有機溶劑或是清洗液清洗都容易引入新的污染源,然而利用
半導體超聲波清洗機清洗技術卻可以實現無重復污染,而且能深入MCP孔內的效果。對不同材料及孔徑的MCP應采用頻率、聲強可調的超聲波進行實驗,以確定實際工藝參數。對孔徑6~12μmMCP的清洗,當媒液為水和乙醇時,可采用空化閾約1/3 W/cm2,聲強10~20 W/cm2,頻率20~120 kHz的超聲波進行清洗。表1是同一段不同板號的MCP采用不同頻率超聲波清洗后表觀及電性能測試結果。由檢測結果可見,對1μm以下的小顆粒污染物,應選用頻率40 kHz以上的超聲波進行清洗。
在半導體超聲波清洗機（硅片）的清洗過程中，清洗液的溫度是一個關鍵因素。合適的清洗溫度能夠加快油污的去除，得到*的清洗效果。當硅片浸到清洗液中，硅片上的油污產生膨脹，油污內部以及油污與硅片之間的作用力減弱，溫度越高，油污膨脹越大，這種作用力就越弱，表面活性劑分子越容易將油污撬離硅片表面。同時，溫度的變化可導致膠束本身性質和被增溶物在膠束中溶解情況發生變化。聚氧乙烯型表面活性劑的聚氧乙烯鏈（CH2CH2O）n在水中產生水合作用，與水分子中的氫形成氫鍵。溫度升高，氫鍵減弱，有的甚至斷裂，水合作用減小，膠束易于形成，膠束的聚集數亦顯著地增加，對油脂等污染物的增溶量增大，這種情況有利于半導體超聲波清洗機的清洗。當溫度升高到60℃左右時，聚氧乙烯鏈（CH2CH2O）n加速脫水并產生卷縮，使膠束起增溶的空間減小，增容能力下降，清洗液由透明變成乳濁液，這一溫度稱做溶液的濁點溫度。只有溫度接近表面活性劑溶液的濁點溫度時，增溶能力zui強，因而清洗液的溫度定在60℃比較合理。
